بررسی بازتاب سیگنال برد RF را می توان در یک فرآیند استاندارد شده از آسان به دشوار، از سیستم به محلی انجام داد تا به سرعت منبع ناپیوستگی امپدانس را پیدا کند.
مرحله 1: قضاوت اولیه در مورد پدیده بازتاب و آماده سازی برای آزمایش
با مشاهده مستقیم شکل موج سیگنال با یک اسیلوسکوپ با پهنای باند بالا، در صورت وجود بیش از حد واضح، زنگ زدن، یا اعوجاج مانند، می توان به طور اولیه تأیید کرد که مشکل انعکاس وجود دارد.
تجهیزات آزمایش هسته را آماده کنید: تحلیلگر شبکه برداری (شبکه برداری/VA)، بازتاب سنج دامنه زمانی (TDR)، دستگاه تست SMA. قبل از آزمایش، بار مدار باز اتصال کوتاه SOLT را از طریق کالیبراسیون کامل کنید تا از خطاهای اندازه گیری قابل کنترل اطمینان حاصل کنید.
مرحله 2: شدت بازتاب و محلی سازی دامنه فرکانس را کمی کنید
پارامتر ضرر بازگشتی S11 را با استفاده از یک شبکه برداری آزمایش کنید. پیوندهای معمولی RF به S11 نیاز دارند<-10dB within the operating frequency band. If the value is significantly higher, it indicates that the reflected energy exceeds the standard.
انحراف امپدانس کلی را بر اساس ویژگی های نمودار اسمیت تعیین کنید:
انحراف کلی به سمت راست نمودار دایره ای: امپدانس واقعی بزرگتر از مقدار طراحی است (مانند 55 Ω اندازه گیری شده در طرح 50 Ω)، که اغلب به دلیل ضخامت بیش از حد لایه دی الکتریک و عرض خط باریک ایجاد می شود.
انحراف کلی نمودار دایره ای به چپ: امپدانس واقعی کمتر از مقدار طراحی است (مانند 42 Ω اندازه گیری شده در طرح 50 Ω)، که اغلب به دلیل لایه نازک دی الکتریک، عرض خط گسترده یا ثابت دی الکتریک بیش از حد تخته ایجاد می شود.
ظاهر مقعر/محدب موضعی در نمودار دایره ای نشان دهنده وجود نقاط ناپیوستگی امپدانس محلی در پیوند است.
مرحله 3: موقعیت فیزیکی منبع انعکاس را به دقت تعیین کنید
با استفاده از تابع تبدیل دامنه زمانی پارامتر S شبکه برداری برای دستیابی به تست معادل TDR:
پرش رو به جلو شکل موج TDR: مربوط به افزایش ناگهانی امپدانس در موقعیت مربوطه است که معمولاً در پهنای خط باریک و اندوکتانس انگلی بیش از حد vias دیده می شود.
پرش منفی شکل موج TDR: مربوط به افت ناگهانی امپدانس در موقعیت مربوطه است، که معمولاً در خازن انگلی بیش از حد از طریق پدها و تغییرات ناگهانی در عرض خط در مناطق شکست BGA دیده می شود.
بر اساس پارامترهای زمانی نقطه پرش، مکان فیزیکی دقیق نقطه ناپیوستگی امپدانس در مسیریابی PCB را می توان با دقت موقعیت یابی تا سطح سانتی متر محاسبه کرد.
مرحله 4: علل رایج را بر اساس ماژول و مورد به مورد بررسی کنید
با توجه به پیوند سیگنال از ورودی به خروجی، از استراتژی «تقسیم کن و حکومت کن» برای تقسیم ماژول‌ها و تأیید یک به یک آنها استفاده کنید:
عیب یابی اتصال خارجی و پیوند آزمایشی: اتصالات SMA و کابل های آزمایش را از نظر اکسیداسیون پین، آلودگی چهره انتهایی و رزوه های شل بررسی کنید. این مسائل می تواند مستقیماً بازتاب های اضافی را ایجاد کند که می توان با جایگزینی کابل های واجد شرایط برای آزمایش مقایسه ای آنها را از بین برد.
عیب‌یابی مولفه غیرفعال و شبکه منطبق: پارامترهای S11 آنتن‌ها، فیلترها، تقسیم‌کننده‌های برق و سایر اجزا را یک به یک بررسی کنید تا تأیید کنید که آیا جهش امپدانس ناشی از عدم تطابق دستگاه، لحیم کاری مجازی لحیم کاری/انباشته شدن قلع وجود دارد یا خیر.
بررسی عیوب ساختاری و سیم‌کشی PCB: روی بررسی مسائل مربوط به طراحی/تولید معمولی مانند باقیمانده‌های بیش از حد طولانی سوراخ، عدم وجود مسیر جریان مجدد در تقسیم‌بندی صفحه مرجع، خمیدگی زاویه راست در سیم‌کشی و تغییرات ناگهانی در عرض خط بدون انتقال تدریجی تمرکز کنید.
عیب‌یابی خاتمه پورت فعال: تأیید کنید که آیا مدارهای تطبیق ورودی و خروجی تقویت‌کننده‌ها، میکسرها و سایر تراشه‌ها دارای لحیم کاری مجازی هستند یا پارامترهای مقاومت/خازن پایان نادرست هستند که منجر به انحراف امپدانس پورت از استاندارد 50 Ω می‌شود.
مرحله 5: تأیید و تأیید حلقه بسته
پس از تعمیر، تست پارامتر S، TDR و شکل موج را مجدداً انجام دهید تا تأیید شود که نشانگر S11 با استاندارد مطابقت دارد، شکل موج TDR هیچ جهش غیرعادی ندارد و دامنه بیش از حد سیگنال/زنگ در 10٪ ولتاژ منبع تغذیه کنترل می شود تا از ایجاد مشکلات بازتابی جدید در طول فرآیند یکسوسازی جلوگیری شود.