برای دستیابی به پهنای خط بسیار ظریف پایدار و کنترل فاصله ± 0.2mil، باید یک سیستم کنترل حلقه بسته از کل فرآیند انتخاب مواد، فناوری هسته، دقت تجهیزات و کنترل محیطی ایجاد شود. موارد زیر مسیرهای فنی قابل اجرا هستند:
کنترل دقیق منبع مواد
انتخاب بستر: بسترهای سرامیکی یا بسترهای پلیمری اصلاح‌شده با ضرایب انبساط حرارتی بسیار پایین ترجیح داده می‌شوند و تغییر شکل حرارتی در طول فرآیند در 0.1 میلیمتر کنترل می‌شود تا از کشش/انقباض خط ناشی از نوسانات دما جلوگیری شود.
غربالگری مواد عملکردی: ویسکوزیته مقاوم به نور و ثبات حساسیت به نور را به شدت کنترل کنید. اندازه ذرات خمیر رسانا در سطح میکرومتر کنترل می شود تا از ضخامت پوشش یکنواخت و عدم وجود سوراخ در لبه های خطوط چاپی اطمینان حاصل شود.
مکانیسم ذخیره سازی و استفاده: محیط ذخیره سازی مواد دما و رطوبت ثابت است و اولین قانون ورود، اولین خروج برای جلوگیری از انحراف اندازه ناشی از جذب رطوبت مقاوم به نور و کاهش عملکرد دوغاب اجرا می شود.
ارتقاء فرآیند لیتوگرافی هسته
استفاده از فناوری تصویربرداری مستقیم لیزری LDI: به طور کامل مشکلات تغییر شکل و انحراف هم ترازی نوردهی فیلم سنتی را حذف می کند، دقت موقعیت نوردهی را تا 0.01 ± میلی متر (حدود 0.4 میلی متر) بهبود می بخشد، که پیش نیاز اساسی برای دستیابی به کنترل 0.2 ± است.
کنترل حلقه بسته پارامتر دقیق نوردهی: انرژی نوردهی را در محدوده 120-150 میلی‌ژول بر سانتی‌متر مربع تثبیت کنید، پارامترها را به صورت پویا برای خطوط فوق‌العاده 2 تا 3 میلی‌میلی تنظیم کنید، زمان نوردهی را تا 15 درصد افزایش دهید و در عین حال انرژی نوردهی را 5 تا 8 درصد کاهش دهید، از گسترش عرض خط ناشی از انجماد بیش از حد لبه خط جلوگیری کنید.
پیش گرم کردن بستر قبل از قرار گرفتن در معرض: دمای بستر را در مقدار تنظیم شده فرآیند از قبل تثبیت کنید تا تداخل انبساط حرارتی و تغییر شکل انقباض در فرآیندهای نوردهی بعدی کاملاً از بین برود.
بهینه سازی دقت فرآیند اچینگ
اتخاذ یک طرح اچ دقیق ترکیبی: اولویت دادن به ترکیب فرآیند "اچ لیزری + اچ پلاسما خشک"، تقریباً از بین بردن مشکل حکاکی جانبی در حکاکی مرطوب سنتی، و قفل کردن مستقیم دقت عرض خط به 0.003± میلیمتر (حدود ± 0.12 میلیمتر)، نیاز به تحمل 0.2 میلیمتر.
کنترل حلقه بسته پارامترهای اچینگ: غلظت یون‌های مس در محلول اچینگ کلرید مس اسیدی به شدت در 18-22 گرم در لیتر کنترل می‌شود، دما در 35-40 درجه پایدار است و فشار اسپری نسبت به فرآیندهای معمولی 10 درصد افزایش می‌یابد تا از اچ کردن یکنواخت خطوط هم‌سوی/بر روی دیواره‌های جانبی اطمینان حاصل شود.
جبران عرض خط قبل از خط: بر اساس ضریب اچینگ اندازه گیری شده (بیشتر یا مساوی 5:1)، مقدار جبران عرض خط حدود 0.6 میلی متر از قبل در مرحله طراحی رزرو می شود تا از دست دادن عرض خط کوچک در طول فرآیند اچینگ جبران شود.
پشتیبانی از تجهیزات و سیستم تست
سیستم موقعیت یابی حرکت با دقت بالا: اتخاذ یک معماری بازخورد کامل موتور خطی + خط کش توری، دستیابی به تصحیح موقعیت حرکت در سطح نانومتری و کنترل خطای حرکت مکانیکی تجهیزات در 0.1 میلی متر.
مکانیسم تشخیص بی‌درنگ آنلاین: کالیپرهای لیزری و سیستم‌های تشخیص نوری با بزرگنمایی بالا را به کار ببرید تا بلافاصله پس از پردازش، عرض خط و فاصله هر برد را بررسی کنید. اگر انحراف از آستانه فراتر رود، یک هشدار ایجاد می شود و برای جلوگیری از نقص دسته ای، تولید به حالت تعلیق در می آید.
بهینه سازی صلبیت تجهیزات: قطعات متحرک کلیدی از مواد با استحکام بالا ساخته شده اند که تداخل ارتعاش خارجی را در کل فرآیند جدا می کند و از انحراف موقعیت ناشی از ارتعاش جلوگیری می کند.
کنترل تمام بعدی محیط فوق العاده تمیز
کارگاه دما و رطوبت ثابت: کنترل نوسان دما در منطقه پردازش در ± 0.5 درجه، تثبیت رطوبت در 40٪ -60٪، و حذف تغییر شکل حرارتی تجهیزات و تغییرات عملکرد مقاوم در برابر نور ناشی از تغییرات دما و رطوبت محیطی.
کنترل تمیزی 100 سطح: کارگاه فرآیند هسته استاندارد تمیزی 100 سطح را رعایت می کند، ذرات گرد و غبار موجود در هوا را به طور کامل فیلتر می کند و از چسبیدن گرد و غبار به سطح زیرلایه، ایجاد نقص و برجستگی خط و آسیب رساندن به ثبات عرض و فاصله خطوط جلوگیری می کند.